IGBT電源模塊

?? IGBT功率模塊是由絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組成的功率模塊。
??由于IGBT模塊為mosfet結構，IGBT的柵極通過氧化膜與發(fā)射極電隔離，具有優(yōu)異的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。

??IGBT是一種先進的第三代功率模塊，工作頻率為1-20khz，主要用于變頻器的主回路逆變器和所有逆變電路，即dc/ac轉換。例子包括電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。至今已有十幾年的歷史，幾乎取代了其他所有功率器件，如scr.gto、gtr、mosfet、雙極型達林頓晶體管等低頻應用，功率可高達1mw，單個元器件電壓可達4.okv(pt結構)-6.5kv(npt結構)，電流可達1.5ka，是一款理想的功率模塊。

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