據(jù)日本科技媒體報道，AIST開發(fā)了一項高速SiC晶片拋光技術(shù)，可以將速度提升12倍，大幅降低成本，該技術(shù)即將導入6英寸SiC晶圓的集成加工工藝中：

▲速度更快：傳統(tǒng)轉(zhuǎn)速50 rpm，新技術(shù)達到700rpm。

▲多片拋光：傳統(tǒng)方式只能單片研磨，新技術(shù)可以同時多片加工。

▲節(jié)省材料：不需要研磨液，只需要水。

速度提升12倍！

高速SiC晶片拋光成本更低

圖：高速拋光的6英寸碳化硅晶片外觀。

AIST是如何做到的呢？

由于SiC晶片是一種高剛性且脆性的材料，為此迄今為止，即使采用金剛石研磨液進行拋光也無法提高研磨速度，因為研磨液會產(chǎn)生摩擦熱。目前，主要是通過研磨進行單晶片加工，直至實現(xiàn)鏡面加工（表面粗糙度Ra≈1 nm），但生產(chǎn)效率不高。

為了加快拋光過程，AIST聯(lián)合瑞穗和富士越機械工業(yè)開發(fā)了新的SiC晶片拋光技術(shù)，該技術(shù)采用了2種設(shè)備：瑞穗將金剛石磨石成型為平臺，制成了固定磨粒平臺；同時結(jié)合了富士越制造的高速高壓研磨裝置。

圖：瑞穗的固定磨粒平臺和富士越的高速高壓拋光裝置。

結(jié)果證實，當使用固定磨粒平臺時，即使在700rpm時平臺旋轉(zhuǎn)速度也與拋光速度成正比。而且，新技術(shù)的拋光速度比使用研磨液（負載200 g/cm2，轉(zhuǎn)速50 rpm）的典型加工條件快約 12倍。

同時，采用新技術(shù)，拋光后的SiC晶片Ra約為0.5 nm，實現(xiàn)了與傳統(tǒng)鏡面研磨工藝相同的表面質(zhì)量。而傳統(tǒng)金屬平臺和漿料加工，平臺轉(zhuǎn)速超過200rpm時拋光質(zhì)量就達到極限。

而且，與使用漿料的拋光技術(shù)不同，這種高速拋光技術(shù)只使用水作為處理液，所以環(huán)境負荷極小。它的另一個優(yōu)點是可以在控制供水量和冷卻平臺的同時，確保拋光效率。

此外，由于該技術(shù)是通過加工壓力和平臺的轉(zhuǎn)數(shù)來控制加工速度，因此可以同時加工多個 SiC晶片。結(jié)果，可以同時實現(xiàn)高速處理和成本降低。

SiC還有哪些新技術(shù)？

英飛凌、羅姆、安森美等即將分享

9月9日，英飛凌、羅姆、三菱電機、安森美、英諾賽科、PI公司、天科合達、天域、飛锃、芯聚能和能芯等企業(yè)，將出席“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應(yīng)用分析大會”，帶來[敏感詞]的SiC技術(shù)分享。

這次大會議題涵蓋SiC全產(chǎn)業(yè)鏈，包括襯底、外延、器件、模塊、封測和應(yīng)用。

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