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技術(shù)交流

Technology Exchange
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【PCB】IGBT半橋功率管驅(qū)動_IR2104芯片
  • 更新日期: 2023-03-25
  • 瀏覽次數(shù): 2726
在電子電路和工業(yè)應(yīng)用中,IGBT功率管被普遍應(yīng)用,電磁爐中的開關(guān)管,變頻器中三相電機(jī)控制,程控電源,逆變器等。通過IGBT來控制大電流的快速開關(guān)實(shí)現(xiàn)不同的功能。本節(jié)來學(xué)習(xí)IGBT驅(qū)動芯片IR2104的使用。
芯片封裝簡介
  • 更新日期: 2023-03-25
  • 瀏覽次數(shù): 2032
每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受元件影響。
淺談電子束光刻
  • 更新日期: 2023-03-23
  • 瀏覽次數(shù): 5533
利用聚焦電子束對某些高分子聚合物(電子束光刻膠)進(jìn)行曝光并通過顯影獲得圖形的過程。產(chǎn)生聚焦電子束并讓聚焦電子束按照設(shè)定的圖形掃描的設(shè)備就叫做電子束光刻機(jī)。
二極管分類、選型及選型關(guān)鍵要素
  • 更新日期: 2023-03-22
  • 瀏覽次數(shù): 4080
二極管的種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管(Ge管)和硅二極管(Si管)
400G 以太網(wǎng)PAM-4信令取代NRZ
  • 更新日期: 2023-03-17
  • 瀏覽次數(shù): 2387
由于 NRZ 信令不足并且 PAM-4 能夠以波特率的一半實(shí)現(xiàn)更高的比特率,因此設(shè)計(jì)人員可以繼續(xù)以有望達(dá)到 400G 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)速率使用現(xiàn)有信道
TOF飛行時間技術(shù)
  • 更新日期: 2023-03-16
  • 瀏覽次數(shù): 3653
飛行時間技術(shù)在廣義上可理解為通過測量物體、粒子或波在固定介質(zhì)中飛越一定距離所耗費(fèi)時間
特斯拉下一代永磁電機(jī)去稀土分析
  • 更新日期: 2023-03-16
  • 瀏覽次數(shù): 2606
特斯拉公司表示,新一代永磁電機(jī)可以在效率和質(zhì)量上達(dá)到甚至比稀土材料電機(jī)更高的水平。
HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展
  • 更新日期: 2023-03-14
  • 瀏覽次數(shù): 3188
GaN 半導(dǎo)體晶體材料的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì),綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質(zhì)量 GaN 晶體的主要研究進(jìn)展;對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學(xué)性能的影響進(jìn)行了詳細(xì) 介紹
固態(tài)與半固態(tài)動力電池
  • 更新日期: 2023-03-14
  • 瀏覽次數(shù): 4686
由于科學(xué)界認(rèn)為鋰離子電池已經(jīng)到達(dá)極限,固態(tài)電池于近年被視為可以繼承鋰離子電池地位的電池。
對話兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊:RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運(yùn)用
  • 更新日期: 2023-03-10
  • 瀏覽次數(shù): 1746
RISC-V(Reduced Instruction Set Computing Five)是一種基于精簡指令集計(jì)算機(jī)(RISC)原則的開源指令集架構(gòu)(ISA)。RISC-V最初于2010年由加州大學(xué)伯克利分校的研究人員提出,并逐漸成為開源計(jì)算機(jī)架構(gòu)中的一股強(qiáng)大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展,不僅推動了開源計(jì)算機(jī)架構(gòu)的發(fā)展,也為智能汽車行業(yè)的未來發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學(xué)深圳行業(yè)研究院首席科學(xué)家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運(yùn)用進(jìn)行探討
GAAFET與FinFET工藝
  • 更新日期: 2023-03-10
  • 瀏覽次數(shù): 4656
三星在年初的IEEE國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上,公布3nm制造技術(shù)的一些細(xì)節(jié),包括類似全柵場效應(yīng)晶體管(GAAFET)結(jié)構(gòu),率先開啟先進(jìn)工藝在技術(shù)架構(gòu)上的轉(zhuǎn)型。知名能源與電力媒體eenews報道稱,三星工廠已經(jīng)流片采用環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm芯片,通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET……
增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)與工作原理
  • 更新日期: 2023-02-27
  • 瀏覽次數(shù): 3708
一、增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴(kuò)散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū),并引出兩個電極,分別為源極s和漏極d。 ③在半導(dǎo)體上制作一層SiO2絕緣層,在SiO2上制作一層金屬鋁,引出電極,作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極……

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